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- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：嵌入式存儲器，11.5 x 13 x 1.0 mm
- 技術參數：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品，三星半導體芯片采購平臺
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KLUDG8V1EE-B0C1 技術參數詳情：
- 三星芯片型號：KLUDG8V1EE-B0C1
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：嵌入式存儲器
- 版本：UFS 2.1
- 容量：128GB
- 工作電壓：1.8/3.3 V
- 接口：G3 2Lane
- 封裝尺寸：11.5 x 13 x 1.0 mm
- 工作溫度：-25 ~ 85 °C
- 產品狀態：批量生產
- KLUDG8V1EE-B0C1優勢代理貨源，國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
