- 制造廠商:三星半導體
- 類別封裝:多制層封裝芯片,221FBGA
- 技術參數:SAMSUNG DRAM NAND
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KMQE10013M-B318 技術參數詳情:
- 三星芯片型號:KMQE10013M-B318
- 制造商:三星半導體(SAMSUNG Semiconductor)
- 功能類別:多制層封裝芯片
- eStorage 密度:16 GB
- eStorage 版本:嵌入式多媒體卡 5.1
- DRAM 密度:16 Gb
- DRAM 類型:三代低功耗雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- 封裝:221FBGA
- 速率:1866 Mbps
- 產品狀態:批量生產
- KMQE10013M-B318優勢代理貨源,國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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