產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：多制層封裝芯片，221FBGA
- 技術參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產(chǎn)品，三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發(fā)貨、嚴格的質(zhì)量標準，滿足您的目標價格
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KMRE1000BM-B512 技術參數(shù)詳情：
- 三星芯片型號：KMRE1000BM-B512
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：多制層封裝芯片
- eStorage 密度：16 GB
- eStorage 版本：嵌入式多媒體卡 5.1
- DRAM 密度：24 Gb
- DRAM 類型：三代低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- 封裝：221FBGA
- 速率：1866 Mbps
- 產(chǎn)品狀態(tài)：批量生產(chǎn)
- KMRE1000BM-B512優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權Samsung代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺