- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：模塊，8GB
- 技術參數：SAMSUNG DRAM NAND
- 豐富的三星半導體公司產品，三星半導體芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
M474A1G43EB1-CPB 技術參數詳情：
- 三星模塊型號：M474A1G43EB1-CPB
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：模塊
- DDR：四代雙倍數據率同步動態隨機存儲器
- DIMM 類型：ECC SODIMM
- 容量：8GB
- 內存區塊組織：2R x 8
- 速率：2133 Mbps
- 工作電壓：1.2 V
- 組件成分：(512M x 8) x 18
- M474A1G43EB1-CPB優勢代理貨源，國內領先的三星半導體芯片采購服務平臺。
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