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- 制造廠商：三星半導體
- 類別封裝：模塊，4GB
- 技術參數(shù)：SAMSUNG DRAM NAND
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M474B5173EB0-YMA 技術參數(shù)詳情：
- 三星模塊型號：M474B5173EB0-YMA
- 制造商：三星半導體（SAMSUNG Semiconductor）
- 功能類別：模塊
- DDR：三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
- DIMM 類型：SODIMM
- 容量：4GB
- 內存區(qū)塊組織：1R x 8
- 速率：1866 Mbps
- 工作電壓：1.35 V
- 組件成分：(512M x 8) x 9
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