產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Silicon Labs
- 類別封裝：隔離器 - 柵極驅(qū)動器，封裝：14-VDFN
- 技術(shù)參數(shù)：4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
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SI8275GB-IM1R 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SI8275GB-IM1R
- 制造商：Silicon Labs
- 描述：4A 2.5 KV HIGH CMTI DUAL GATE DR
- 系列：隔離器 - 柵極驅(qū)動器
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q100
- 零件狀態(tài)：有源
- 技術(shù)：容性耦合
- 通道數(shù)：2
- 電壓-隔離：2500Vrms
- 共模瞬變抗擾度（最小值）：150kV/μs
- 傳播延遲tpLH/tpHL（最大值）：60ns，60ns
- 脈寬失真（最大）：8ns
- 上升/下降時間（典型值）：10.5ns，13.3ns
- 電流-輸出高、低：1.8A，4A
- 電流-峰值輸出：4A
- 電壓-正向(Vf)（典型值）：-
- 電流-DC正向(If)（最大值）：-
- 電壓-?輸出供電：4.2V ~ 30V
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：14-VDFN
- 供應(yīng)商器件封裝：14-QFN（5x5）
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