產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購平臺
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CSD13306WT 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：CSD13306WT
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 12V 3.5A 6DSBGA
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：NexFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：12V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：3.5A（Ta）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：10.2m? @ 1.5A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.2nC @ 4.5V
- Vgs（最大值）：±10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 6V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：1.9W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：6-DSBGA（1x1.5）
- CSD13306WT優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的TI芯片采購服務(wù)平臺。
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