產品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-VSON（3.3x3.3）
- 技術參數：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
- 豐富的TI公司產品，TI芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
CSD19537Q3T 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：CSD19537Q3T
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET N-CH 100V 50A 8VSON
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：NexFET?
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：100V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：50A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：14.5 毫歐 @ 10A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.6V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：21nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±20V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1680pF @ 50V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：2.8W（Ta），83W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-VSON（3.3x3.3）
- CSD19537Q3T優勢代理貨源，國內領先的TI芯片采購服務平臺。
