產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerTDFN
- 技術(shù)參數(shù)：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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CSD86356Q5D 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：CSD86356Q5D
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：25V POWERBLOCK N CH MOSFET
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：NexFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) N 通道（半橋）
- FET功能：邏輯電平柵極，5V 驅(qū)動(dòng)
- 漏源電壓（Vdss）：25V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：40A（Ta）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 20A，5V，0.8 毫歐 @ 20A，5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：1.85V @ 250μA，1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：7.9nC @ 4.5V，19.3nC @ 4.5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1.04nF @ 12.5V，2.51nF @ 12.5V
- 功率-最大值：12W（Ta）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerTDFN
- CSD86356Q5D優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的TI芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購(gòu)網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)TI代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購(gòu)IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購(gòu)平臺(tái)