產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：TI
- 類別封裝：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器，產(chǎn)品封裝：12-WFBGA，DSBGA
- 技術(shù)參數(shù)：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
- 豐富的TI公司產(chǎn)品，TI芯片采購(gòu)平臺(tái)
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LM5113TME/NOPB 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：LM5113TME/NOPB
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA
- 產(chǎn)品系列：電源管理IC - 柵極驅(qū)動(dòng)器
- 包裝：卷帶（TR）,剪切帶（CT）
- 系列：-
- 零件狀態(tài)：不適用於新設(shè)計(jì)
- 驅(qū)動(dòng)配置：半橋
- 通道類型：獨(dú)立式
- 驅(qū)動(dòng)器數(shù)：2
- 柵極類型：N 溝道 MOSFET
- 電壓-供電：4.5V ~ 5.5V
- 邏輯電壓?-VIL，VIH：1.76V，1.89V
- 電流-峰值輸出（灌入，拉出）：1.2A，5A
- 輸入類型：非反相
- 高壓側(cè)電壓-最大值（自舉）：107V
- 上升/下降時(shí)間（典型值）：7ns，1.5ns
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 產(chǎn)品封裝：12-WFBGA，DSBGA
- LM5113TME/NOPB優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的TI芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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