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- 制造廠商：TI
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-SOIC
- 技術參數：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- 豐富的TI公司產品，TI芯片采購平臺
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TPS1101DR 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：TPS1101DR
- 制造商：TI公司（德州儀器，Texas Instruments）
- 描述：MOSFET P-CH 15V 2.3A 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：P 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：15V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：2.3A（Ta）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.7V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：90 毫歐 @ 2.5A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：11.25nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+2V，-15V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：791mW（Ta）
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：8-SOIC
- TPS1101DR優勢代理貨源，國內領先的TI芯片采購服務平臺。
