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Toshiba
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2SK879-GR(TE85L,F) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - JFET,封裝:SC-70,SOT-323
  • 技術參數:JFET N-CH 0.1W USM
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2SK879-GR(TE85L,F) 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:2SK879-GR(TE85L,F)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:JFET N-CH 0.1W USM
  • 系列:晶體管 - JFET
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 電壓-擊穿(V(BR)GSS):-
  • 漏源電壓(Vdss):-
  • 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss):2.6mA @ 10V
  • 漏極電流(Id)-最大值:-
  • 不同Id時電壓-截止(VGSoff):400mV @ 100nA
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):8.2pF @ 10V
  • 電阻-RDS(On):-
  • 功率-最大值:100mW
  • 工作溫度:125°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:SC-70,SOT-323
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