產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- 技術(shù)參數(shù)：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
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GT10J312(Q) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：GT10J312(Q)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：10A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：20A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)（最大值）：2.7V @ 15V，10A
- 功率-最大值：60W
- 開關(guān)能量：-
- 輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷：-
- 25°C時(shí)Td（開/關(guān)）值：400ns/400ns
- 測(cè)試條件：300V，10A，100 歐姆，15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr)：200ns
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
- GT10J312(Q)優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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