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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單，封裝：TO-3P-3，SC-65-3
- 技術參數：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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GT30J121(Q) 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：GT30J121(Q)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
- 系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產品系列：*
- 零件狀態：有源
- IGBT類型：-
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：600V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：30A
- 電流-集電極脈沖(Icm)：60A
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，30A
- 功率-最大值：170W
- 開關能量：1mJ（開），800μJ（關）
- 輸入類型：標準
- 柵極電荷：-
- 25°C時Td（開/關）值：90ns/300ns
- 測試條件：300V，30A，24 歐姆，15V
- 反向恢復時間(trr)：-
- 工作溫度：-
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-3P-3，SC-65-3
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