
- 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-3P-3,SC-65-3
- 技術(shù)參數(shù):IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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GT30J341,Q 技術(shù)參數(shù)詳情:
- 制造商產(chǎn)品型號(hào):GT30J341,Q
- 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
- 描述:IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
- 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
- 產(chǎn)品系列:-
- 零件狀態(tài):有源
- IGBT類型:-
- 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
- 電流-集電極(Ic)(最大值):59A
- 電流-集電極脈沖(Icm):120A
- 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
- 功率-最大值:230W
- 開關(guān)能量:800μJ(開),600μJ(關(guān))
- 輸入類型:標(biāo)準(zhǔn)
- 柵極電荷:-
- 25°C時(shí)Td(開/關(guān))值:80ns/280ns
- 測(cè)試條件:300V,30A,24 歐姆,15V
- 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):50ns
- 工作溫度:175°C(TJ)
- 安裝類型:通孔
- 封裝:TO-3P-3,SC-65-3
- GT30J341,Q優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。

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