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Toshiba
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HN1B04FU-GR(L,F,T) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管陣列,US6
  • 技術參數:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
  • 豐富的東芝半導體公司產品,東芝半導體芯片采購平臺
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HN1B04FU-GR(L,F,T) 技術參數詳情:
  • 東芝半導體公司完整型號:HN1B04FU-GR(L,F,T)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
  • 系列:-
  • 晶體管類型:NPN,PNP
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):150mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):250mV @ 10mA,100mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):200 @ 2mA,6V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 頻率 - 躍遷:150MHz
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供應商器件封裝:US6
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