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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單路﹐預偏壓式晶體管，VESM
- 技術參數：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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RN1102MFV,L3F(B 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：RN1102MFV,L3F(B
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
- 系列：-
- 晶體管類型：NPN - 預偏壓
- 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：100mA
- 電壓 - 集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)：10k
- 電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω)：10k
- 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）：50 @ 10mA，5V
- 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
- 電流 - 集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率 - 躍遷：-
- 功率 - 最大值：150mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-723
- 供應商器件封裝：VESM
- RN1102MFV,L3F(B優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
