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芯片采購(gòu),IC采購(gòu),芯片采購(gòu)平臺(tái)
Toshiba
熱門(mén)產(chǎn)品型號(hào)
產(chǎn)品參考圖片
RN1110MFV(TL3,T) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導(dǎo)體
  • 類別封裝:單路﹐預(yù)偏壓式晶體管,VESM
  • 技術(shù)參數(shù):TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  • 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品,東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)平臺(tái)
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RN1110MFV(TL3,T) 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):RN1110MFV(TL3,T)
  • 制造商:東芝半導(dǎo)體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  • 系列:-
  • 晶體管類型:NPN - 預(yù)偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k
  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):-
  • 不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 頻率 - 躍遷:-
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-723
  • 供應(yīng)商器件封裝:VESM
  • RN1110MFV(TL3,T)優(yōu)勢(shì)代理貨源,國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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