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Toshiba
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RN1130MFV(TL3,T) 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:單路﹐預偏壓式晶體管,VESM
  • 技術參數:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
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RN1130MFV(TL3,T) 技術參數詳情:
  • 東芝半導體公司完整型號:RN1130MFV(TL3,T)
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
  • 系列:-
  • 晶體管類型:NPN - 預偏壓
  • 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
  • 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):100k
  • 電阻器 - 發射極基底 (R2) (Ω):100k
  • 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):100 @ 10mA,5V
  • 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
  • 電流 - 集電極截止(最大值):500nA
  • 頻率 - 躍遷:250MHz
  • 功率 - 最大值:150mW
  • 安裝類型:表面貼裝
  • 封裝/外殼:SOT-723
  • 供應商器件封裝:VESM
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