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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置，封裝：SOT-553
- 技術參數：NPN X 2 BRT, Q1BSR=47K?, Q1BER=2
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RN1709JE(TE85L,F) 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：RN1709JE(TE85L,F)
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：NPN X 2 BRT, Q1BSR=47K?, Q1BER=2
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預偏置
- 零件狀態：有源
- 晶體管類型：2 NPN - 預偏壓（雙）（耦合發射器）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：47 千歐
- 電阻器-發射極(R2)：22 千歐
- 不同?Ic、Vce?時DC電流增益(hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic時?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
- 電流-集電極截止（最大值）：500nA
- 頻率-躍遷：250MHz
- 功率-最大值：100mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-553
- RN1709JE(TE85L,F)優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
