產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置，封裝：SOT-563，SOT-666
- 技術(shù)參數(shù)：TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
RN2963FE(TE85L,F) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：RN2963FE(TE85L,F)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
- 系列：晶體管 - 雙極（BJT）- 陣列 - 預(yù)偏置
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- 晶體管類型：2 個(gè) PNP 預(yù)偏壓式（雙）
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：50V
- 電阻器-基極(R1)：22 千歐
- 電阻器-發(fā)射極(R2)：22 千歐
- 不同?Ic、Vce?時(shí)DC電流增益(hFE)（最小值）：70 @ 10mA，5V
- 不同?Ib、Ic時(shí)?Vce飽和壓降（最大值）：300mV @ 250μA，5mA
- 電流-集電極截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 頻率-躍遷：200MHz
- 功率-最大值：100mW
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：SOT-563，SOT-666
- RN2963FE(TE85L,F)優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺(tái)。
芯片采購網(wǎng)專注整合國(guó)內(nèi)外授權(quán)Toshiba代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國(guó)內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺(tái)