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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單端場效應管，ES6
- 技術參數：MOSFET P-CH 20V 4A ES6
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SSM6J212FE(TE85L,F 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：SSM6J212FE(TE85L,F
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 4A ES6
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：4A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：40.7 毫歐 @ 3A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：14.1nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：970pF @ 10V
- 功率 - 最大值：500mW
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-563，SOT-666
- 供應商器件封裝：ES6（1.6x1.6）
- SSM6J212FE(TE85L,F優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
