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- 制造廠商：東芝半導體
- 類別封裝：單端場效應管，6-UDFN
- 技術參數：MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
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SSM6J501NU,LF(T 技術參數詳情：
- 東芝半導體公司完整型號：SSM6J501NU,LF(T
- 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 10A UDFN6B
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.5V 驅動
- 漏源極電壓 (Vdss)：20V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：10A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：15.3 毫歐 @ 4A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：29.9nC @ 4.5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2600pF @ 10V
- 功率 - 最大值：1W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：6-WDFN 裸露焊盤
- 供應商器件封裝：6-UDFN （2x2）
- SSM6J501NU,LF(T優勢代理貨源，國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
