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Toshiba
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TK31J60W5,S1VQ 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:TO-3P(N)
  • 技術參數:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
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TK31J60W5,S1VQ 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TK31J60W5,S1VQ
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:DTMOSIV
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):30.8A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):88 毫歐 @ 15.4A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):3.7V @ 1.5mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):105nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):3000pF @ 300V
  • FET功能:超級結
  • 功率耗散(最大值):230W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:通孔
  • 器件封裝:TO-3P(N)
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