產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：單端場效應(yīng)管，VS-6
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
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TPC6103(TE85L,F,M) 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 東芝半導(dǎo)體公司完整型號：TPC6103(TE85L,F,M)
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 12V 5.5A VS6 2-3T1A
- 系列：-
- FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET 功能：邏輯電平柵極，1.8V 驅(qū)動
- 漏源極電壓 (Vdss)：12V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：5.5A（Ta）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 2.8A，4.5V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 200μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：20nC @ 5V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1520pF @ 10V
- 功率 - 最大值：-
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：SOT-23-6 細(xì)型，TSOT-23-6
- 供應(yīng)商器件封裝：VS-6（2.9x2.8）
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