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Toshiba
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TPC8212-H(TE12LQ,M 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-SOIC(0.173,4.40mm 寬)
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
  • 豐富的東芝半導體公司產品,東芝半導體芯片采購平臺
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TPC8212-H(TE12LQ,M 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TPC8212-H(TE12LQ,M
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:停產
  • FET類型:2 N-通道(雙)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):6A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):21 毫歐 @ 3A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.3V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):16nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):840pF @ 10V
  • 功率-最大值:450mW
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-SOIC(0.173,4.40mm 寬)
  • TPC8212-H(TE12LQ,M優勢代理貨源,國內領先的東芝半導體芯片采購服務平臺。
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