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Toshiba
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TPN1110ENH,L1Q 圖片
  • 制造廠商:東芝半導體
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:8-TSON Advance(3.3x3.3)
  • 技術參數:MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
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TPN1110ENH,L1Q 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:TPN1110ENH,L1Q
  • 制造商:東芝半導體(Toshiba Semiconductor)
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:U-MOSVIII-H
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:MOSFET(金屬氧化物)
  • 漏源電壓(Vdss):200V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):7.2A(Ta)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):114 毫歐 @ 3.6A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 200μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):7nC @ 10V
  • Vgs(最大值):±20V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):600pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):700mW(Ta),39W(Tc)
  • 工作溫度:150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:8-TSON Advance(3.3x3.3)
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