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Toshiba
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TPN4R712MD,L1Q 圖片
  • 制造廠商：東芝半導體
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）
  • 技術參數：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
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TPN4R712MD,L1Q 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：TPN4R712MD,L1Q
  • 制造商：東芝半導體（Toshiba Semiconductor）
  • 描述：MOSFET P-CH 20V 36A 8TSON
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：U-MOSVI
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：P 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：20V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：36A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，4.5V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.7 毫歐 @ 18A，4.5V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 5V
  • Vgs（最大值）：±12V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：4300pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：42W（Tc）
  • 工作溫度：150°C（TJ）
  • 安裝類型：表面貼裝型
  • 器件封裝：8-TSON Advance（3.3x3.3）
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