產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Transphorm
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：3-PQFN（8x8）
- 技術(shù)參數(shù)：GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
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TP65H300G4LSG 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TP65H300G4LSG
- 制造商：Transphorm
- 描述：GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：GaNFET（氮化鎵）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：6.5A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：8V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：312毫歐 @ 5A，8V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.6V @ 500μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：9.6nC @ 8V
- Vgs（最大值）：±18V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：760pF @ 400V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：21W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：3-PQFN（8x8）
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