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UnitedSiC
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UF3C065080B7S 圖片
  • 制造廠商:UnitedSiC
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 單個,器件封裝:D2PAK-7
  • 技術參數:SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7
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UF3C065080B7S 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:UF3C065080B7S
  • 制造商:UnitedSiC
  • 描述:SICFET P-CH 650V 27A D2PAK-7
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
  • 產品系列:-
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:N 通道
  • 技術:SiCFET(共源共柵 SiCJFET)
  • 漏源電壓(Vdss):650V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):27A(Tc)
  • 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):-
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):105 毫歐 @ 20A,12V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):6V @ 10mA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):23nC @ 12V
  • Vgs(最大值):±25V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):760pF @ 100V
  • FET功能:-
  • 功率耗散(最大值):136.4W(Tc)
  • 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 器件封裝:D2PAK-7
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