產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：UnitedSiC
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)，器件封裝：D2PAK-7
- 技術(shù)參數(shù)：SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
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UF3C120080B7S 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：UF3C120080B7S
- 制造商：UnitedSiC
- 描述：SICFET P-CH 1200V 28.8A D2PAK-7
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 技術(shù)：SiCFET（共源共柵 SiCJFET）
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：28.8A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：-
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：105 毫歐 @ 20A，12V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：6V @ 10mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：23nC @ 12V
- Vgs（最大值）：±25V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：754pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：190W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：D2PAK-7
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