產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：UnitedSiC
- 類別封裝：晶體管 - JFET，封裝：TO-247-3
- 技術(shù)參數(shù)：1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
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UJ3N120035K3S 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：UJ3N120035K3S
- 制造商：UnitedSiC
- 描述：1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON
- 系列：晶體管 - JFET
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：N 通道
- 電壓-擊穿(V(BR)GSS)：1200V
- 漏源電壓（Vdss）：1200V
- 不同Vds(Vgs=0)時電流-漏極(Idss)：-
- 漏極電流(Id)-最大值：63A
- 不同Id時電壓-截止(VGSoff)：-
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2145pF @ 100V
- 電阻-RDS(On)：45 mOhms
- 功率-最大值：429W
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：通孔
- 封裝：TO-247-3
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