產品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
- 豐富的Vishay公司產品，Vishay芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
SI4936BDY-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SI4936BDY-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 6.9A 8-SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：TrenchFET?
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：6.9A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：35 毫歐 @ 5.9A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：530pF @ 15V
- 功率-最大值：2.8W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- SI4936BDY-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
