產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數(shù)：MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
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SI4966DY-T1-GE3 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SI4966DY-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：-
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：25 毫歐 @ 7.1A，4.5V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：50nC @ 4.5V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：2W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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