產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SMD，扁平引線
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購平臺(tái)
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SI5509DC-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SI5509DC-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：N 和 P 溝道
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：6.1A，4.8A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：52 毫歐 @ 5A，4.5V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：6.6nC @ 5V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：455pF @ 10V
- 功率-最大值：4.5W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SMD，扁平引線
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