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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
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SI7964DP-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SI7964DP-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 6.1A PPAK SO-8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：TrenchFET?
- 零件狀態：停產
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：6.1A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：23 毫歐 @ 9.6A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：65nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：-
- 功率-最大值：1.4W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- SI7964DP-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
