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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PowerPAK? SO-8
- 技術參數：MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
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SIHJ6N65E-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SIHJ6N65E-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：-
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：650V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：5.6A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：868 毫歐 @ 3A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：32nC @ 10V
- Vgs（最大值）：±30V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：596pF @ 100V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：74W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PowerPAK? SO-8
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