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Vishay
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產品參考圖片
SIHW33N60E-GE3 圖片
  • 制造廠商：Vishay（威世）
  • 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：TO-247AD
  • 技術參數：MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
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SIHW33N60E-GE3 技術參數詳情：
  • 制造商產品型號：SIHW33N60E-GE3
  • 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 33A TO247AD
  • 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
  • 產品系列：-
  • 零件狀態：有源
  • FET類型：N 通道
  • 技術：MOSFET（金屬氧化物）
  • 漏源電壓（Vdss）：600V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id)：33A（Tc）
  • 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：99 毫歐 @ 16.5A，10V
  • 不同Id時Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：150nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3508pF @ 100V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：278W（Tc）
  • 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安裝類型：通孔
  • 器件封裝：TO-247AD
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