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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? 1212-8SCD
- 技術參數：COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
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SISF06DN-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SISF06DN-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：COMMON-DRAIN DUAL N-CH 30V (S1-S
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 N 溝道（雙）共漏
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：28A（Ta），101A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.5 歐姆 @ 7A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：45nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：2050pF @ 15V
- 功率-最大值：5.2W（Ta），69.4W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：PowerPAK? 1212-8SCD
- SISF06DN-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
