產品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PowerPAK? 1212-8S
- 技術參數：MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
- 豐富的Vishay公司產品，Vishay芯片采購平臺
- 提供當日發貨、嚴格的質量標準，滿足您的目標價格
點擊下圖下載技術文檔
SISS60DN-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SISS60DN-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 30V 50.1/181.8A PPAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態：有源
- FET類型：N 通道
- 技術：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：50.1A（Ta），181.8A（Tc）
- 驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：1.31 毫歐 @ 20A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：85.5nC @ 10V
- Vgs（最大值）：+16V，-12V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：3960pF @ 15V
- FET功能：肖特基二極管（體）
- 功率耗散（最大值）：5.1W (Ta)，65.8W (Tc)
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PowerPAK? 1212-8S
- SISS60DN-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
