產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 單個，器件封裝：PowerPAK? 1212-8S
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
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SISS63DN-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SISS63DN-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET P-CH 20V 35.1/127.5A PPAK
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen III
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：P 通道
- 技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
- 漏源電壓（Vdss）：20V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：35.1A（Ta），127.5A（Tc）
- 驅(qū)動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：2.5V，10V
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：2.7 毫歐 @ 15A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：236nC @ 8V
- Vgs（最大值）：±12V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：7080pF @ 10V
- FET功能：-
- 功率耗散（最大值）：5W（Ta），65.8W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 器件封裝：PowerPAK? 1212-8S
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