產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
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SIZ260DT-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SIZ260DT-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 80V POWERPAIR 3
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：80V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：8.9A（Ta），24.7A（Tc），8.9A（Ta），24.6A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：24.5 毫歐 @ 10A，10V，24.7 毫歐 @ 10A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：27nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：820pF @ 40V
- 功率-最大值：4.3W（Ta），33W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
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