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Vishay
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SIZ300DT-T1-GE3 圖片
  • 制造廠商:Vishay(威世)
  • 類別封裝:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列,封裝:8-PowerWDFN
  • 技術參數:MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
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SIZ300DT-T1-GE3 技術參數詳情:
  • 制造商產品型號:SIZ300DT-T1-GE3
  • 制造商:威世半導體(Vishay Semiconductor)
  • 描述:MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR
  • 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
  • 產品系列:TrenchFET?
  • 零件狀態:有源
  • FET類型:2 個 N 通道(半橋)
  • FET功能:邏輯電平門
  • 漏源電壓(Vdss):30V
  • 25°C時電流-連續漏極(Id):11A,28A
  • 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):24 毫歐 @ 9.8A,10V
  • 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
  • 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):12nC @ 10V
  • 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):400pF @ 15V
  • 功率-最大值:16.7W,31W
  • 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:8-PowerWDFN
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