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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerPair?
- 技術參數：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
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SIZ998BDT-T1-GE3 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：SIZ998BDT-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態：有源
- FET類型：2 個 N 通道（雙），肖特基
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.39 歐姆 @ 15A，10V，2.4 歐姆 @ 19A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V，46.7nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：790pF @ 15V，2130pF @ 15V
- 功率-最大值：3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerPair?
- SIZ998BDT-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
