產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠(chǎng)商：Vishay（威世）
- 類(lèi)別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerPair?
- 技術(shù)參數(shù)：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿(mǎn)足您的目標(biāo)價(jià)格
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SIZ998BDT-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SIZ998BDT-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類(lèi)型：2 個(gè) N 通道（雙），肖特基
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：23.7A（Ta），54.8A（Tc），36.2A（Ta），94.6A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4.39 歐姆 @ 15A，10V，2.4 歐姆 @ 19A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：18nC @ 10V，46.7nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：790pF @ 15V，2130pF @ 15V
- 功率-最大值：3.8W（Ta），20W（Tc），4.8W（Ta），32.9W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類(lèi)型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerPair?
- SIZ998BDT-T1-GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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