產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：6-PowerPair?
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購平臺
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SIZF360DT-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SIZF360DT-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET DL N-CH 30V PPAIR 3X3FDC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個 N 通道（雙），肖特基
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：23A（Ta），83A（Tc），34A（Ta），143A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：4.5 毫歐 @ 10A，10V，1.9 毫歐 @ 10A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC，62nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1100pF，3150pF @ 15V
- 功率-最大值：3.8W（Ta），52W（Tc），4.3W（Ta），78W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：6-PowerPair?
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