產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術(shù)參數(shù)：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
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SIZF906BDT-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SIZF906BDT-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：DUAL N-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) N 通道（雙），肖特基
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：36A（Ta），105A（Tc），63A（Ta），257A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：2.1 毫歐 @ 15A，10V，680μ歐姆 @ 20A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：49nC @ 10V，165nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1630pF @ 15V，5550pF @ 15V
- 功率-最大值：4.5W（Ta），38W（Tc），5W（Ta），83W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
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