產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerWDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
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SIZF918DT-T1-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號(hào)：SIZF918DT-T1-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAIR 6
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：TrenchFET? Gen IV
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 個(gè) N 通道（雙），肖特基
- FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：23A（Ta），40A（Tc），35A（Ta），60A（Tc）
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：4 毫歐 @ 10A，10V，1.9 毫歐 @ 10A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.4V @ 250μA，2.3V @ 250μA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：22nC，56nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：1060pF，2650pF @ 15V
- 功率-最大值：3.4W（Ta），26.6W（Tc），3.7W（Ta），50W（Tc）
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerWDFN
- SIZF918DT-T1-GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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