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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：場效應管陣列，PowerPAK
- 技術參數：MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
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SQJ951EP-T1-GE3 技術參數詳情：
- Vishay威世半導體原廠型號：SQJ951EP-T1-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2P-CH 30V 8A PPAK
- 系列：自動， AEC-Q101， TrenchFET
- FET 類型：2 個 P 溝道（雙）
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：30V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：30A
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：17 mOhm @ 7.5A, 10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1680pF @ 10V
- 功率 - 最大值：56W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PowerPAK SO-8 雙
- 供應商器件封裝：PowerPAK SO-8 Dual
- SQJ951EP-T1-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
