產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：PowerPAK? SO-8 雙
- 技術參數(shù)：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
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SQJB00EP-T1_GE3 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：SQJB00EP-T1_GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：Automotive, AEC-Q101, TrenchFET?
- 零件狀態(tài)：有源
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：30A（Tc）
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：13 毫歐 @ 10A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：35nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1700pF @ 25V
- 功率-最大值：48W
- 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：PowerPAK? SO-8 雙
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