產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：單端場(chǎng)效應(yīng)管，TO-263
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- 豐富的Vishay公司產(chǎn)品，Vishay芯片采購(gòu)平臺(tái)
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SQM120N04-1M9-GE3 技術(shù)參數(shù)詳情：
- Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào)：SQM120N04-1M9-GE3
- 制造商：威世半導(dǎo)體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- 系列：TrenchFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
- 漏源極電壓 (Vdss)：40V
- 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：1.9 毫歐 @ 30A，10V
- 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：270nC @ 10V
- 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：8790pF @ 25V
- 功率 - 最大值：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應(yīng)商器件封裝：TO-263
- SQM120N04-1M9-GE3優(yōu)勢(shì)代理貨源，國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的Vishay芯片采購(gòu)服務(wù)平臺(tái)。
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