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- 制造廠商：Vishay（威世）
- 類別封裝：單端場效應管，TO-263
- 技術參數：MOSFET N-CH 40V 120A TO263
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SQM120N04-1M9-GE3 技術參數詳情：
- Vishay威世半導體原廠型號：SQM120N04-1M9-GE3
- 制造商：威世半導體（Vishay Semiconductor）
- 描述：MOSFET N-CH 40V 120A TO263
- 系列：TrenchFET
- FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET 功能：標準
- 漏源極電壓 (Vdss)：40V
- 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時）：120A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：1.9 毫歐 @ 30A，10V
- 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
- 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：270nC @ 10V
- 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：8790pF @ 25V
- 功率 - 最大值：300W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商器件封裝：TO-263
- SQM120N04-1M9-GE3優勢代理貨源，國內領先的Vishay芯片采購服務平臺。
